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为击败台积电三星芯片决定跳过4nm制程直接上3nm工艺

2020-07-06 14:21 作者:冷夜轩 来源:硅谷网 关注: 编辑:GuiGu 【搜索试试

硅谷网2020年7月6日讯(冷夜轩)近日,三星更新了他们的芯片工艺线路图,其中三星在芯片工艺上将会跳过4nm制程工艺,直接从5nm制程工艺提升至3nm制程工艺。三星这样的计划,主要是为了能够与行业前列的台积电进行竞争。

台积电近几年一直走在行业前列,除了7nm和5nm工艺都是率先量产,他们还获得了大量的其他企业的代工合同。三星现在直接进行3nm工艺研发,就是为了缩小与台积电的差距,甚至实现超越。不过,台积电此前就已经开始了3nm制程工艺的研发,因此鹿死谁手还是未知数。

按照5月份时候的计划,三星将会从8月份开始批量生产5nm Exynos芯片,同时他们还会继续改进已经推出的7nm芯片Exynos 990。

消息人士透露,三星已经完成了基于5nm EUV工艺的下一代Exynos SoC批量生产所需的所有准备工作。三星的芯片部门还在等待,等待有关是否要用在Galaxy Note 20系列中的决定。

另外,三星从今年2月份开始就已经在批量生产用于移动设备的16GB LPDDR5 DRAM芯片。这些芯片已经用在了三星Galaxy S20 Ultra 5G版身上。近期,三星增加了这款芯片的产量,因此有理由相信将会运用在三星Galaxy Note20系列身上。

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